maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / DE2E3KY222MB2BM01F
Référence fabricant | DE2E3KY222MB2BM01F |
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Numéro de pièce future | FT-DE2E3KY222MB2BM01F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | KY |
DE2E3KY222MB2BM01F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 2200pF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 250V |
Coéfficent de température | E |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Voltage |
Évaluations | X1, Y2 |
Applications | Safety |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.433" (11.00mm) |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Style de plomb | Formed Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DE2E3KY222MB2BM01F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DE2E3KY222MB2BM01F-FT |
DK1E3EA102M86RBH01
Murata Electronics North America
DK11XEA100K86RAH01
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DK1B3EA471K86RAH01
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XCV100E-8FG256C
Xilinx Inc.
M2GL050T-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8
Intel
5CEBA4F17C6N
Intel
5SGXEA5N3F45C2N
Intel
XC2V1500-5FFG896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1
Intel