maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTC143ZE-7-F
Référence fabricant | DDTC143ZE-7-F |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DDTC143ZE-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTC143ZE-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC143ZE-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTC143ZE-7-F-FT |
BCR 151T E6327
Infineon Technologies
BCR 153T E6327
Infineon Technologies
BCR 158T E6327
Infineon Technologies
BCR 162T E6327
Infineon Technologies
BCR 164T E6327
Infineon Technologies
BCR 166T E6327
Infineon Technologies
BCR 169T E6327
Infineon Technologies
BCR 179T E6327
Infineon Technologies
BCR 183T E6327
Infineon Technologies
BCR 185T E6327
Infineon Technologies
XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
Intel