maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTC143EE-7
Référence fabricant | DDTC143EE-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DDTC143EE-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTC143EE-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC143EE-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTC143EE-7-FT |
DDTC144WE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC124EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC142JE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC144VE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143XE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC124TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC115EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114GE-7-F
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ATC144-1N
Intel
5CGXFC4C6F27I7N
Intel
EP3SE260F1517C2
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
5SGXMB5R3F43C2N
Intel
5SGXMA5K3F35C2LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation