maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTC123JUA-7-F
Référence fabricant | DDTC123JUA-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DDTC123JUA-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTC123JUA-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC123JUA-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTC123JUA-7-F-FT |
DDTD122LC-7
Diodes Incorporated
DDTD142JC-7
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Diodes Incorporated
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
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A3PN030-Z2QNG48
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A42MX36-1CQ256M
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A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
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5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel