maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTC122LE-7-F
Référence fabricant | DDTC122LE-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DDTC122LE-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTC122LE-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 220 Ohms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC122LE-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTC122LE-7-F-FT |
BCR 146F E6327
Infineon Technologies
BCR 148F B6327
Infineon Technologies
BCR 148F E6327
Infineon Technologies
BCR 149F E6327
Infineon Technologies
BCR 151F E6327
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BCR 153F E6327
Infineon Technologies
BCR 158F E6327
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BCR 162F E6327
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BCR 164F E6327
Infineon Technologies
BCR 166F E6327
Infineon Technologies
XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
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A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
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LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
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