maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTA144ECA-7
Référence fabricant | DDTA144ECA-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DDTA144ECA-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTA144ECA-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA144ECA-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTA144ECA-7-FT |
BCR 185L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 189L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 191L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 192L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 196L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 198L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 199L3 E6327
Infineon Technologies
BCR 103F E6327
Infineon Technologies
BCR 108F E6327
Infineon Technologies
BCR 112F E6327
Infineon Technologies
XC6SLX4-L1TQG144I
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
APA600-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
Intel
5AGZME1E3H29I4N
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
Intel