maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTA115GE-7-F
Référence fabricant | DDTA115GE-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DDTA115GE-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTA115GE-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA115GE-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTA115GE-7-F-FT |
BCR 189T E6327
Infineon Technologies
BCR 191T E6327
Infineon Technologies
BCR 192T E6327
Infineon Technologies
BCR 196T E6327
Infineon Technologies
BCR 198T E6327
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BCR 199T E6327
Infineon Technologies
DDTA144GCA-7-F
Diodes Incorporated
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DDTC125TCA-7-F
Diodes Incorporated
EPF10K30ATI144-2N
Intel
LCMXO2-1200HC-5TG144IR1
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A1020B-2PQG100C
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XC3S200-4PQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG484
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I2L
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation