maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTA115EE-7-F
Référence fabricant | DDTA115EE-7-F |
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Numéro de pièce future | FT-DDTA115EE-7-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTA115EE-7-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA115EE-7-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTA115EE-7-F-FT |
BCR 185T E6327
Infineon Technologies
BCR 189T E6327
Infineon Technologies
BCR 191T E6327
Infineon Technologies
BCR 192T E6327
Infineon Technologies
BCR 196T E6327
Infineon Technologies
BCR 198T E6327
Infineon Technologies
BCR 199T E6327
Infineon Technologies
DDTA144GCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA124TCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114TCA-7-F
Diodes Incorporated
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC4013E-2PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
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5SGXEA5N1F40C2LN
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation