maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DDTA113TE-7
Référence fabricant | DDTA113TE-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DDTA113TE-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDTA113TE-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTA113TE-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDTA113TE-7-FT |
DDTA114TCA-7
Diodes Incorporated
DDTA114WCA-7
Diodes Incorporated
DDTA115ECA-7
Diodes Incorporated
DDTA115ECA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115GCA-7
Diodes Incorporated
DDTA115GCA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115TCA-7
Diodes Incorporated
DDTA123ECA-7
Diodes Incorporated
DDTA123TCA-7
Diodes Incorporated
DDTA123YCA-7
Diodes Incorporated
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8N
Intel
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Intel
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Intel