maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DDB6U85N16LHOSA1
Référence fabricant | DDB6U85N16LHOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DDB6U85N16LHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDB6U85N16LHOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.44V @ 100A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5mA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | AG-ISOPACK-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDB6U85N16LHOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDB6U85N16LHOSA1-FT |
MEA75-12DA
IXYS
MEA95-06DA
IXYS
MEE95-06DA
IXYS
MEK150-04DA
IXYS
MEK75-12DA
IXYS
MPK95-06DA
IXYS
MDD44-16N1B
IXYS
MCC95-08I01B
IXYS
MDA72-08N1B
IXYS
MDA72-14N1B
IXYS
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel