maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DDB6U215N16LHOSA1
Référence fabricant | DDB6U215N16LHOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DDB6U215N16LHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DDB6U215N16LHOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.61V @ 300A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10mA @ 1600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDB6U215N16LHOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DDB6U215N16LHOSA1-FT |
CMLSH-4 TR
Central Semiconductor Corp
CMSD2838 BK
Central Semiconductor Corp
CN2406020N
Powerex Inc.
CN240610
Powerex Inc.
CN240650
Powerex Inc.
CN2406500N
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CN241210
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CN241250
Powerex Inc.
CPT12050A
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CPT12050D
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XC4052XL-1HQ304C
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XC4005XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FGG484C
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M1A3PE1500-FGG484
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LCMXO640E-3MN100C
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