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Infineon Technologies DD1200S17H4B2BOSA2
- Numéro de pièce MFG
- DD1200S17H4B2BOSA2
- quantité disponible
- 44480 Pièces
- Prix de référence
- USD 761.552
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- - DIODE MODULE 1200V 1200A
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- DD1200S17H4B2BOSA2.pdf
DD1200S17H4B2BOSA2 Caractéristiques
| Référence fabricant | DD1200S17H4B2BOSA2 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-DD1200S17H4B2BOSA2 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| DD1200S17H4B2BOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Configuration de la diode | 2 Independent |
| Type de diode | Standard |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1700V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.1V @ 1200A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1250A @ 900V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | Module |
| Package d'appareils du fournisseur | AG-IHMB130-1 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DD1200S17H4B2BOSA2 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | DD1200S17H4B2BOSA2-FT |
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