maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / DCP52-13
Référence fabricant | DCP52-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DCP52-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DCP52-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Puissance - Max | 1W |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DCP52-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DCP52-13-FT |
FZT491ATA
Diodes Incorporated
DZT953-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
5SEE9F45C2N
Intel
5SGXMA7H2F35C3
Intel
EP2SGX90EF1152I4
Intel
XC7K160T-2FBG484C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
Intel
10AX022E3F29I1HG
Intel