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Référence fabricant | DC630R-682M |
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Numéro de pièce future | FT-DC630R-682M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DC630R |
DC630R-682M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 10.5A |
Courant - Saturation | 26A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 10kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.630" Dia (16.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.830" (21.08mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DC630R-682M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DC630R-682M-FT |
HCTR-681
API Delevan Inc.
HCTR-504
API Delevan Inc.
HCTR-503
API Delevan Inc.
HCTR-502
API Delevan Inc.
HCTR-501
API Delevan Inc.
HCTR-444
API Delevan Inc.
HCTR-443
API Delevan Inc.
HCTR-442
API Delevan Inc.
HCTR-441
API Delevan Inc.
HCTR-374
API Delevan Inc.
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel