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Référence fabricant | DC630R-272M |
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Numéro de pièce future | FT-DC630R-272M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DC630R |
DC630R-272M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 12.8A |
Courant - Saturation | 42A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 10kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.630" Dia (16.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.830" (21.08mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DC630R-272M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DC630R-272M-FT |
DC780R-154K
API Delevan Inc.
DC780R-822L
API Delevan Inc.
DC780R-104K
API Delevan Inc.
DC780R-103K
API Delevan Inc.
DC780R-333K
API Delevan Inc.
DC780R-224K
API Delevan Inc.
DC780R-334K
API Delevan Inc.
DC780R-564K
API Delevan Inc.
DC780R-332L
API Delevan Inc.
DC780-102L
API Delevan Inc.
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel