maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DBL207G C1G
Référence fabricant | DBL207G C1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DBL207G C1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBL207G C1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL207G C1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBL207G C1G-FT |
D2SB20 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB20HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB40 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB40HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB60HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB80HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL005 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL01 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL01HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel