maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DBL107GHC1G
Référence fabricant | DBL107GHC1G |
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Numéro de pièce future | FT-DBL107GHC1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DBL107GHC1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL107GHC1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBL107GHC1G-FT |
DBLS206G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208G RDG
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DBLS209G C1G
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HDBLS104G RDG
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HDBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS106G C1G
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HDBLS107G RDG
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RABS15M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-5T100C
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XC7A75T-2FGG676C
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XC4005E-1PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ208I
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A54SX72A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P030-VQ100
Microsemi Corporation
10CL016ZU484I8G
Intel
10AX027H4F34I3SG
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation