maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DBL106GHC1G
Référence fabricant | DBL106GHC1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DBL106GHC1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DBL106GHC1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL106GHC1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBL106GHC1G-FT |
DBLS206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS104G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS107G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel