maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DBL106G C1G
Référence fabricant | DBL106G C1G |
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Numéro de pièce future | FT-DBL106G C1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBL106G C1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 15A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL106G C1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBL106G C1G-FT |
DBLS156G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS156G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS158G RDG
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DBLS201G RDG
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DBLS201GHRDG
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Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G C1G
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DBLS206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG68
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6N
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10AX022E3F29E2LG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
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XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
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A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
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LCMXO2280C-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation