maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DBL103G C1G
Référence fabricant | DBL103G C1G |
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Numéro de pièce future | FT-DBL103G C1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBL103G C1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL103G C1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBL103G C1G-FT |
DBLS201GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS204G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G C1G
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DBLS206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206G RDG
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DBLS207G C1G
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DBLS208G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
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A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
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10AX115H3F34I2SGE2
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5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
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EPF10K100EQC208-1X
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