maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DBL101GHC1G
Référence fabricant | DBL101GHC1G |
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Numéro de pièce future | FT-DBL101GHC1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DBL101GHC1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL101GHC1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBL101GHC1G-FT |
DBLS157G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS158G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS204G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS206G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX4-3TQG144I
Xilinx Inc.
A1225A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R3F43C2LN
Intel
EP3SE110F1152C3N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel