maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DBD10G-TM-E
Référence fabricant | DBD10G-TM-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DBD10G-TM-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBD10G-TM-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 500mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBD10G-TM-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBD10G-TM-E-FT |
TS8P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel