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Référence fabricant | DBD10G-TM-E |
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Numéro de pièce future | FT-DBD10G-TM-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBD10G-TM-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 500mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBD10G-TM-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBD10G-TM-E-FT |
TS8P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation