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Référence fabricant | DBB08G-TM-E |
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Numéro de pièce future | FT-DBB08G-TM-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBB08G-TM-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 800mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 400mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBB08G-TM-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBB08G-TM-E-FT |
TS8P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel