Référence fabricant | DBA100G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DBA100G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBA100G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.7A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC-W |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBA100G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBA100G-FT |
TS6P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP1K50FC256-2N
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel