Référence fabricant | DBA100G |
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Numéro de pièce future | FT-DBA100G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBA100G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3.7A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC-W |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBA100G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBA100G-FT |
TS6P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6P07G C2G
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TS6P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS8P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel