maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DB6X314K0R
Référence fabricant | DB6X314K0R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DB6X314K0R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB6X314K0R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 30mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300nA @ 30V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini6-G4-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB6X314K0R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB6X314K0R-FT |
LXA08T600C
Power Integrations
LXA12T600C
Power Integrations
APT10SCD65KCT
Microsemi Corporation
APT15S20KCTG
Microsemi Corporation
APT8DQ60KCTG
Microsemi Corporation
BYQ42E-200Q
WeEn Semiconductors
BYV32E-200PQ
WeEn Semiconductors
FST20150
Microsemi Corporation
FST20150E3
Microsemi Corporation
FST31180
Microsemi Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel