maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DB5S406K0R
Référence fabricant | DB5S406K0R |
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Numéro de pièce future | FT-DB5S406K0R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB5S406K0R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 900ps |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 40V |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-665 |
Package d'appareils du fournisseur | SSMini5-F4-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB5S406K0R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB5S406K0R-FT |
RB085T-40HZC9
Rohm Semiconductor
RB238T100HZC9
Rohm Semiconductor
RB085T-60HZC9
Rohm Semiconductor
BAV170HMFHT116
Rohm Semiconductor
BAV70HMFHT116
Rohm Semiconductor
BAV99T116
Rohm Semiconductor
BAW156HMFHT116
Rohm Semiconductor
BAV199HMFHT116
Rohm Semiconductor
BAV99HMFHT116
Rohm Semiconductor
BAW56HMFHT116
Rohm Semiconductor
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation