maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / DB2U31600L
Référence fabricant | DB2U31600L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DB2U31600L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB2U31600L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 800ps |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 15µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-923 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-923 |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2U31600L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB2U31600L-FT |
CTS05F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
D1030N22TPRXOSA1
Infineon Technologies
D1030N24TXPSA1
Infineon Technologies
D1050N12TXPSA1
Infineon Technologies
D1050N14TXPSA1
Infineon Technologies
D1050N16TXPSA1
Infineon Technologies
D121K18BXPSA1
Infineon Technologies
D121K20BXPSA1
Infineon Technologies
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel