Référence fabricant | DB155G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DB155G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB155G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB155G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB155G-FT |
RDBF36-13
Diodes Incorporated
RDBF38-13
Diodes Incorporated
TT410-13
Diodes Incorporated
B483H-2T
Sensata-Crydom
B485G-2
Sensata-Crydom
B485H-2
Sensata-Crydom
LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
LVE2560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
M50100TB400
Sensata-Crydom
M5060TB1600
Sensata-Crydom
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
A54SX32A-TQG144I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K2F40C2N
Intel
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
5SGXEA7N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H1F35C1N
Intel
XC5VSX50T-2FF665I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-35SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation