Référence fabricant | DB153G |
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Numéro de pièce future | FT-DB153G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB153G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB153G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB153G-FT |
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
RDBF38-13
Diodes Incorporated
TT410-13
Diodes Incorporated
B483H-2T
Sensata-Crydom
B485G-2
Sensata-Crydom
B485H-2
Sensata-Crydom
LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
LVE2560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4S100G2F40I1N
Intel
AGLP030V2-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8
Intel