Référence fabricant | DB107 |
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Numéro de pièce future | FT-DB107 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB107 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB107 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB107-FT |
MB154W
Micro Commercial Co
MB156W-BP
Micro Commercial Co
MB158W
Micro Commercial Co
MB158W-BP
Micro Commercial Co
MB2505W
Micro Commercial Co
MB2505W-BP
Micro Commercial Co
MB2510W
Micro Commercial Co
MB2510W-BP
Micro Commercial Co
MB251W
Micro Commercial Co
MB252W
Micro Commercial Co
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel