maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / DB107S-G
Référence fabricant | DB107S-G |
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Numéro de pièce future | FT-DB107S-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB107S-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DBS |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB107S-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB107S-G-FT |
GBJL2510-BP
Micro Commercial Co
GBJL1510
Micro Commercial Co
GBJL3510-BP
Micro Commercial Co
TBS20M-TP
Micro Commercial Co
TBS20J-TP
Micro Commercial Co
TBS22J-TP
Micro Commercial Co
TBS22M-TP
Micro Commercial Co
SDB103-TP
Micro Commercial Co
SDB156-TP
Micro Commercial Co
GBPC3504W-BP
Micro Commercial Co
XC6SLX150T-N3CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FG484I
Microsemi Corporation
APA600-FG484A
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I4N
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
LCMXO256C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50QC208-3
Intel
EPF6016AQC208-2
Intel
EP20K1000CF33C9ES
Intel