Référence fabricant | DB106G |
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Numéro de pièce future | FT-DB106G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB106G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB106G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB106G-FT |
RDBF254-13
Diodes Incorporated
RDBF256-13
Diodes Incorporated
RDBF258-13
Diodes Incorporated
RDBF31-13
Diodes Incorporated
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
RDBF38-13
Diodes Incorporated
TT410-13
Diodes Incorporated
B483H-2T
Sensata-Crydom
LFEC3E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
XC4005XL-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F40I3LN
Intel
5SGSED6N2F45C3N
Intel
XC6VLX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation