Référence fabricant | DB104G |
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Numéro de pièce future | FT-DB104G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB104G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB104G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB104G-FT |
RDBF251-13
Diodes Incorporated
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
RDBF256-13
Diodes Incorporated
RDBF258-13
Diodes Incorporated
RDBF31-13
Diodes Incorporated
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
RDBF38-13
Diodes Incorporated
LFXP3C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FGG456I
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEA9K1H40C2LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
10AX057K3F35I2SG
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel