Référence fabricant | DB101TB |
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Numéro de pièce future | FT-DB101TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB101TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 50V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB-M |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB101TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB101TB-FT |
GBJ2002TB
SMC Diode Solutions
GBJ2004TB
SMC Diode Solutions
GBJ2008TB
SMC Diode Solutions
GBJ25005TB
SMC Diode Solutions
GBJ2501TB
SMC Diode Solutions
GBJ2502TB
SMC Diode Solutions
GBJ2504TB
SMC Diode Solutions
GBJ2508TB
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GBJ35005TB
SMC Diode Solutions
GBJ3501TB
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LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-CSG81
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9D6F27C7N
Intel
5AGZME7K2F40I3LN
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation