maison / des produits / Des relais / Relais Reed / DAR70510P
Référence fabricant | DAR70510P |
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Numéro de pièce future | FT-DAR70510P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | D |
DAR70510P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de bobine | Non Latching |
Courant de bobine | 179mA |
Tension de bobine | 5VDC |
Formulaire de contact | SPST-NO (1 Form A) |
Cote de contact (actuelle) | 3A |
Tension de commutation | 1000VAC, 1000VDC - Max |
Activer la tension (max) | 3.7 VDC |
Couper la tension (min) | 0.5 VDC |
Utiliser le temps | 3ms |
Temps de libération | 2ms |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Style de terminaison | Solder Turret |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 70°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DAR70510P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DAR70510P-FT |
S8-0504VU
Cynergy 3
S8-0504
Cynergy 3
S8-1204VU
Cynergy 3
S8-2405U
Cynergy 3
S8-0504U
Cynergy 3
S8-1204U
Cynergy 3
S8-0504V
Cynergy 3
S8-1204V
Cynergy 3
S8-2405V
Cynergy 3
S1-0504
Cynergy 3
XC3S1200E-4FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SFC484-3N
Intel
EP3SL340F1517C2N
Intel
EP4S40G5H40I1N
Intel
5SGXEA4K3F35C3N
Intel
EP3SE260F1152I3N
Intel