maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / D3501N40TXPSA1
Référence fabricant | D3501N40TXPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-D3501N40TXPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
D3501N40TXPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 4000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4870A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.27V @ 4000A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100mA @ 4000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AE |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 160°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D3501N40TXPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D3501N40TXPSA1-FT |
NSR05301MX4T5G
ON Semiconductor
BYG10DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10DHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10GHE3_A/I
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Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
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