maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / D2SB10HD2G
Référence fabricant | D2SB10HD2G |
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Numéro de pièce future | FT-D2SB10HD2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
D2SB10HD2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBL |
Package d'appareils du fournisseur | GBL |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D2SB10HD2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D2SB10HD2G-FT |
DBLS158GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS159GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS201GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS202GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel