maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / D1481N58T
Référence fabricant | D1481N58T |
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Numéro de pièce future | FT-D1481N58T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
D1481N58T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 5800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 2500A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 5800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AC, K-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 160°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D1481N58T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D1481N58T-FT |
EGP51F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51F-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51G-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
IDB15E60ATMA1
Infineon Technologies
JAN1N6643US
Semtech Corporation
SD4000C40R
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.