maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / D121J33C0GH6VJ5R
Référence fabricant | D121J33C0GH6VJ5R |
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Numéro de pièce future | FT-D121J33C0GH6VJ5R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | D |
D121J33C0GH6VJ5R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Capacitance | 120pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | General Purpose |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Disc |
Taille / Dimension | 0.335" Dia (8.50mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | - |
Espacement des fils | 0.197" (5.00mm) |
Style de plomb | Formed Leads - Kinked |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D121J33C0GH6VJ5R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | D121J33C0GH6VJ5R-FT |
D682M25Z5UH6TJ5R
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A54SX16A-TQ144A
Microsemi Corporation
XC7A15T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP20K1000CF672C7ES
Intel
EP20K300EFC672-2XA
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EP3C16F256C6N
Intel
EP3SL340F1517C4N
Intel
XCKU035-3SFVA784E
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
EP2SGX60DF780I4
Intel