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CYD09S36V18-200BBXI Image

Cypress Semiconductor Corp CYD09S36V18-200BBXI

Numéro de pièce MFG
CYD09S36V18-200BBXI
quantité disponible
85260 Pièces
Prix de référence
USD 134.424
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
- IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
CYD09S36V18-200BBXI.pdf
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CYD09S36V18-200BBXI Caractéristiques

Référence fabricant CYD09S36V18-200BBXI
Numéro de pièce future FT-CYD09S36V18-200BBXI
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
CYD09S36V18-200BBXI Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire SRAM
La technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Taille mémoire 9Mb (256K x 36)
Fréquence d'horloge 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 3.3ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 256-LBGA
Package d'appareils du fournisseur 256-FBGA (17x17)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CYD09S36V18-200BBXI Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CYD09S36V18-200BBXI-FT

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