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Cypress Semiconductor Corp CYD09S18V18-200BBXC

Name: CYD09S18V18-200BBXC
Brand: Cypress Semiconductor Corp
SKU: CYD09S18V18-200BBXC
Availability: InStock
Rating: 4.9 (364 reviews)

Numéro de pièce MFG: CYD09S18V18-200BBXC

quantité disponible: 87230 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Cypress Semiconductor Corp

Brève description: - IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: CYD09S18V18-200BBXC.pdf

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CYD09S18V18-200BBXC Caractéristiques

Référence fabricant	CYD09S18V18-200BBXC
Numéro de pièce future	FT-CYD09S18V18-200BBXC
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
CYD09S18V18-200BBXC Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	SRAM
La technologie	SRAM - Dual Port, Synchronous
Taille mémoire	9Mb (512K x 18)
Fréquence d'horloge	200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	3.3ns
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	256-LBGA
Package d'appareils du fournisseur	256-FBGA (17x17)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CYD09S18V18-200BBXC Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	CYD09S18V18-200BBXC-FT

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