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Référence fabricant | CYATB108LD-ZS45XI |
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Numéro de pièce future | FT-CYATB108LD-ZS45XI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CYATB108LD-ZS45XI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 45ns |
Temps d'accès | 45ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 44-TSOP II |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CYATB108LD-ZS45XI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CYATB108LD-ZS45XI-FT |
CY7C1041GE30-10ZSXI
Cypress Semiconductor Corp
CY621472E30LL-45ZSXA
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CY14B256LA-ZS25XI
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CY7C1021BN-15ZSXE
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CY7C1041G30-10ZSXA
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XC4006E-3TQ144C
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XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
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10M08DCF484I7G
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EP3CLS150F484C8
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EP4CE115F23C7
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Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
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EP4SGX360HF35I3N
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