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Cypress Semiconductor Corp CY7S1061GE30-10BVM

Numéro de pièce MFG
CY7S1061GE30-10BVM
quantité disponible
17630 Pièces
Prix de référence
USD 28.78092
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Cypress Semiconductor Corp
Brève description
- 16MB POWERSNOOZE 3.3V ERR PIN MI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
CY7S1061GE30-10BVM.pdf
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CY7S1061GE30-10BVM Caractéristiques

Référence fabricant CY7S1061GE30-10BVM
Numéro de pièce future FT-CY7S1061GE30-10BVM
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
CY7S1061GE30-10BVM Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire SRAM
La technologie SRAM - Synchronous
Taille mémoire 16Mb (1M x 16)
Fréquence d'horloge -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 10ns
Temps d'accès 10ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.2V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 48-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur 48-VFBGA (6x8)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CY7S1061GE30-10BVM Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CY7S1061GE30-10BVM-FT

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