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Référence fabricant | CY7C25702KV18-500BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C25702KV18-500BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C25702KV18-500BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Taille mémoire | 72Mb (2M x 36) |
Fréquence d'horloge | 500MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25702KV18-500BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C25702KV18-500BZXC-FT |
S34MS02G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI900
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
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Intel
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel