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Référence fabricant | CY7C2170KV18-550BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C2170KV18-550BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C2170KV18-550BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 550MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2170KV18-550BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C2170KV18-550BZXC-FT |
S34MS01G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204TFI013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel