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Référence fabricant | CY7C2170KV18-550BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C2170KV18-550BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C2170KV18-550BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 550MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2170KV18-550BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C2170KV18-550BZXC-FT |
S34MS01G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G204TFI013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G100TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G204TFI010
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel