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Référence fabricant | CY7C21701KV18-400BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C21701KV18-400BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C21701KV18-400BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C21701KV18-400BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C21701KV18-400BZXC-FT |
CY7C1425KV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1425KV18-333BZC
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CY7C1426UV18-300BZC
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CY7C1460SV25-250BZC
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CY7C1512KV18-300BZI
Cypress Semiconductor Corp
A3P015-QNG68I
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Intel
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XC7S75-L1FGGA676I
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Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel