maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / CY7C1623KV18-250BZXC
Référence fabricant | CY7C1623KV18-250BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1623KV18-250BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1623KV18-250BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 144Mb (8M x 18) |
Fréquence d'horloge | 250MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (15x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1623KV18-250BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1623KV18-250BZXC-FT |
S29GL128S90DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel