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Référence fabricant | CY7C1620KV18-333BZXI |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1620KV18-333BZXI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1620KV18-333BZXI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 144Mb (4M x 36) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (15x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1620KV18-333BZXI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1620KV18-333BZXI-FT |
S29AL016J55FFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFM023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA023
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Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DAI020
Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFBR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI010
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M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
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MPF200T-FCG484E
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Intel
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10M16DCU324A7G
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EP20K100EBC356-3N
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