maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / CY7C1618KV18-300BZXC
Référence fabricant | CY7C1618KV18-300BZXC |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CY7C1618KV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1618KV18-300BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Taille mémoire | 144Mb (4M x 36) |
Fréquence d'horloge | 300MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (15x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1618KV18-300BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1618KV18-300BZXC-FT |
S29GL01GS10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GS10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp