maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / CY7C1614KV18-333BZC
Référence fabricant | CY7C1614KV18-333BZC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1614KV18-333BZC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1614KV18-333BZC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Taille mémoire | 144Mb (4M x 36) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (15x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1614KV18-333BZC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1614KV18-333BZC-FT |
S29GL512S10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS30
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS50
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS60
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS63
Cypress Semiconductor Corp
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel